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Características del producto

Características principales

Marca
Toshiba
Modelo
30F124
Código del transistor
30F124
Unidades por pack
2

Otros

Voltaje máximo soportado
300V
Corriente máxima soportada
200 A

Descripción

El transistor 30F124 Mosfet es utilizado para la circuitería de accionamiento de los paneles de visualización de plasma (PDP). Sin embargo, recientemente, los IGBT se usan comúnmente en aplicaciones de corriente grandes debido a su capacidad superior de conducción de corriente.


Tipo IGBT
De alta corriente
Aplicaciones: Pantallas de plasma
Especificaciones
Polaridad de transistor: Canal N
Voltaje de drenaje a fuente VDS: 300 V
Corriente continua de drenaje ID: 200 A
Disipación de potencia PD (Tc=25°C): 25 W
Temperatura de operación mínima: -55 °C
Temperatura de operación máxima: 150 °C
Encapsulado: TO-220F
Número de pines: 3

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