Ff400r12kt3 Igbt
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Descripción
Modulo IGBTNUEVO.
Contamos con diferentes tipos de refacciones, nos especializamos en la venta de refacciones de componentes electronico, asi como semiconductores de baja y alta potencia.
Características:
Producto: IGBT Silicon Modules
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor: 1.7 V
Colector de Corriente Continua a 25 C: 580 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 400 nA
Dp - Disipación de potencia : 2 kW
Paquete / Cubierta: 62 mm
Temperatura de trabajo mínima: - 40 C
Temperatura de trabajo máxima: + 125 C
Marca: Infineon Technologies
Altura: 30.9 mm
Longitud: 106.4 mm
Máximo voltaje puerta-emisor: 20 V
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