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Características del producto

Características principales

Marca
Genérica
Modelo
IRF540
Código del transistor
IRF540
Formato de venta
Pack
Unidades por pack
5

Otros

Tipo de encapsulado
Orificio pasante (TH)
Voltaje máximo soportado
100V
Corriente máxima soportada
33 A
Potencia máxima soportada
150 W

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.El IRF540 es un mosfet de canal único N de 100v en un encapsulado TO-220 es un mosfet tiene una baja por el área de silicio, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.

Hay tres tipos de FE: JFET, MOSFET y MESFET. Los MOSFET se dividen aún más en tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento. Los términos empobrecimiento y enriquecimiento definen su modo básico de operaciones.

Mosfet Tipo de Empobrecimiento permite analizarlos de la misma manera en el dominio cd. La diferencia principal entre los dos es que los mosfet tipo empobrecimiento permite puntos de operación con valores positivos de VGs y niveles de ID mayores que IDSS.

Especificaciones y Características

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 30 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 72 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.077 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines
Peso: 2 g



*** NOTA ***

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