Transistores Mosfet Bojack Irf520n Irf520n 97 A 100 V Mosfet

Descripción

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Bojack IRF520N MOSFET es un transistor de efecto de campo que puede ser
ampliamente utilizado en circuitos analógicos y circuitos digitales.

Parámetros básicos:

El IRF520N está disponible en un paquete de 220B
RDS de resistencia en el estado (ON): 0.20 ohmios
Voltaje VGS más alto: ± 20V
Número de puntadas: 3
Temperatura de funcionamiento: -55 ° C a +175 ° C
Unión de resistencia térmica al caso A: VDS típico: 100V
ID actual continua: 9.7a
Pulso IDM actual: 38a
Dispositivo de montaje en superficie: a través del montaje del orificio

Protección ambiental sin plomo

• Tipo de transistor: MOSFET
• Polaridad del transistor: canal N
• Drene la corriente (ID máximo): 9.7a
• VDS de voltaje máx: 100V
• potencia (máximo): 48w


Color:

Marca: BOJACK

Dimensiones: 0.013 x 0.063 x 0.053 mts

Peso del Producto: 0.113 Kilogramos.

Peso de Envio: 0.113 Kilogramos.

Modelo: B082J3FNJS

Ref: B082J3FNJS

Garantía del vendedor: 30 días