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30f124 Gt30f124 Igbt To220 300v 200a Original Toshiba
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Características del producto
Características principales
Marca | Toshiba |
|---|---|
Modelo | Pin Point |
Código del transistor | 30F124 |
Formato de venta | Pack |
Unidades por pack | 2 |
Otros
Voltaje máximo soportado | 300V |
|---|---|
Corriente máxima soportada | 200 A |
Descripción
El transistor 30F124 Mosfet es utilizado para la circuitería de accionamiento de los paneles de visualización de plasma (PDP). Sin embargo, recientemente, los IGBT se usan comúnmente en aplicaciones de corriente grandes debido a su capacidad superior de conducción de corriente.
Tipo IGBT
De alta corriente
Aplicaciones: Pantallas de plasma
Especificaciones
Polaridad de transistor: Canal N
Voltaje de drenaje a fuente VDS: 300 V
Corriente continua de drenaje ID: 200 A
Disipación de potencia PD (Tc=25°C): 25 W
Temperatura de operación mínima: -55 °C
Temperatura de operación máxima: 150 °C
Encapsulado: TO-220F
Número de pines: 3
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