MercadoLíder Platinum
+10mil
Ventas concretadas
Brinda buena atención
Entrega sus productos a tiempo
Características del producto
Características principales
Marca | UNIT ELECTRONICS |
|---|---|
Modelo | IRF9640 |
Código del transistor | IRF9640 |
Descripción
[[ [[ [[ U N I T _ E L E C T R O N I C S ]] ]] ]]
F A C T U R A C I Ó N
Todos los productos incluyen IVA, puedes solicitar el enlace de facturación por medio del chat de tu compra.
INFORMACIÓN¿Qué es?
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
¿Para qué es?
Hay tres tipos de FE: JFET, MOSFET y MESFET. Los MOSFET se dividen aún más en tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento. Los términos empobrecimiento y enriquecimiento definen su modo básico de operaciones.
Mosfet Tipo de Empobrecimiento permite analizarlos de la misma manera en el dominio cd. La diferencia principal entre los dos es que los mosfet tipo empobrecimiento permite puntos de operación con valores positivos de VGs y niveles de ID mayores que IDSS.
Los mosfet de enriquecimiento pueden ser un dispositivo tanto de canal n (nMOS) como canal p (pMOS). El circuito equivalente de señal pequeña de ca de cualquier de los dos dispositivos.
¿Cómo Funciona?
Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria
EL Transistor IRF9640 está diseñado para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de comunicación, controladores de motor, controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de puerta
Especificaciones técnicas
Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 11 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 44 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1200 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.5 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines
Peso: 2 g
C A T Á L O G O
https://listado.mercadolibre.com.mx/_CustId_76712625
Garantía del vendedor: 30 días