Transistor Mosfet Irf540 33a 100v N-channel
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Características del producto
Características principales
Marca | Mv Electronica |
|---|---|
Modelo | MOSFET N |
Código del transistor | IRF540 |
Formato de venta | Unidad |
Otros
Voltaje máximo soportado | 100V |
|---|---|
Corriente máxima soportada | 33 A |
Potencia máxima soportada | 0 mW |
Descripción
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ESPECIFICACIÓN:
Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.
MOSFET es muy sensible en comparación con un FET (Transistor de efecto de campo) debido a su alta impetencia de entrada. IRF540 puede realizar una conmutación muy rápida en comparación con el transistor normal. Se basa en la tecnología HEXFET y opera en temperaturas que van desde -55 grados centígrados a 175 grados centígrados.
Si necesitamos alguna aplicación de conmutación entre diferentes señales o para realizar cualquier proceso de amplificación, MOSFET IRF540 será la mejor opción en este caso porque puede realizar una conmutación muy rápida en comparación con los transistores generales similares. Tiene una amplia gama de aplicaciones en la vida real, por ejemplo, controladores de conmutación de alta potencia para alta velocidad, reguladores de conmutación, controladores de relé, convertidores de conmutación, controladores de motor.
CARACTERÍSTICAS:
* Material: metal-óxido-semiconductor
* Polaridad: canal N
* Encapsulado: TO 220
* Conmutador de Potencia
* Corriente de drenador Ic: 30 Ampere
* Voltaje máximo drenador - fuente (Uds): 100 Voltios
* Voltaje máximo fuente-puerta (Ugs): 20 Voltios
* Temperatura máxima de la unión (Tj): °C: 175
* Máxima disipación de potencia (Pd): 150 Watt
*** NOTA ***
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